AGM320M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM320M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7(1) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(6.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23(9) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59(47) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.068) Ohm

Encapsulados: SOP8

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AGM320M datasheet

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AGM320M

AGM320M General Description Product Summary The AGM320M combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery 30V 19.5m 8.0A protection applications. -30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

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AGM320M

AGM325ME N Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

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