AGM320M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AGM320M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7(1) W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(6.8) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23(9) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59(47) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.068) Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de AGM320M MOSFET
AGM320M Datasheet (PDF)
agm320m.pdf
AGM320M General DescriptionProduct SummaryThe AGM320M combines advanced trench MOSFETto providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDdevice isThis ideal for load switch and battery30V 19.5m 8.0Aprotection applications.-30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technologySOP8 Pin ConfigurationR to
agm325me.pdf
AGM325MEN Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature (C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source
Otros transistores... AGM314MAP , AGM314MD , AGM315MBP , AGM315MN , AGM318D , AGM318MAP , AGM318MBP , AGM318MN , TK10A60D , AGM325ME , AGM3400E , , , , , , .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM3400E | AGM325ME | AGM320M | AGM318MN | AGM318MBP | AGM318MAP | AGM318D | AGM315MN | AGM315MBP | AGM314MD | AGM314MAP | AGM314MA | AGM312ME | AGM312MAP | AGM312M2 | AGM312M1
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a