AGM320M - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM320M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM320M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7(1) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(6.8) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23(9) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59(47) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.068) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AGM320M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM320M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1984K  cn agmsemi
 agm320m.pdf pdf_icon

AGM320M

AGM320M General DescriptionProduct SummaryThe AGM320M combines advanced trench MOSFETto providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDdevice isThis ideal for load switch and battery30V 19.5m 8.0Aprotection applications.-30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technologySOP8 Pin ConfigurationR to

 9.1. Size:1993K  cn agmsemi
 agm325me.pdf pdf_icon

AGM320M

AGM325MEN Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature (C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

Другие MOSFET... AGM314MAP , AGM314MD , AGM315MBP , AGM315MN , AGM318D , AGM318MAP , AGM318MBP , AGM318MN , TK10A60D , AGM325ME , AGM3400E , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.