AGM320M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM320M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7(1) W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(6.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23(9) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59(47) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.068) Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AGM320M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM320M даташит

 ..1. Size:1984K  cn agmsemi
 agm320m.pdf pdf_icon

AGM320M

AGM320M General Description Product Summary The AGM320M combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery 30V 19.5m 8.0A protection applications. -30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

 9.1. Size:1993K  cn agmsemi
 agm325me.pdf pdf_icon

AGM320M

AGM325ME N Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

Другие IGBT... AGM314MAP, AGM314MD, AGM315MBP, AGM315MN, AGM318D, AGM318MAP, AGM318MBP, AGM318MN, IRF1010E, AGM325ME, AGM3400E, AGM15N10D-G, AGM15P13AS, AGM15P13E, AGM15P16AS, AGM15P22AS, AGM15P30AS