AGM325ME Todos los transistores

 

AGM325ME MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM325ME
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de AGM325ME MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: AGM325ME

 ..1. Size:1993K  cn agmsemi
 agm325me.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM325ME N Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

 9.1. Size:1984K  cn agmsemi
 agm320m.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM320M General Description Product Summary The AGM320M combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery 30V 19.5m 8.0A protection applications. -30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.