AGM325ME Todos los transistores

 

AGM325ME MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM325ME
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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AGM325ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1993K  cn agmsemi
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AGM325ME

AGM325MEN Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature (C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

 9.1. Size:1984K  cn agmsemi
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AGM325ME

AGM320M General DescriptionProduct SummaryThe AGM320M combines advanced trench MOSFETto providetechnology with a low resistance packageextremely low R .DS(ON)BVDSS RDSON IDdevice isThis ideal for load switch and battery30V 19.5m 8.0Aprotection applications.-30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technologySOP8 Pin ConfigurationR to

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