AGM325ME MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM325ME

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

 Búsqueda de reemplazo de AGM325ME MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AGM325ME datasheet

 ..1. Size:1993K  cn agmsemi
 agm325me.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM325ME N Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

 9.1. Size:1984K  cn agmsemi
 agm320m.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM320M General Description Product Summary The AGM320M combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery 30V 19.5m 8.0A protection applications. -30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

Otros transistores... AGM314MD, AGM315MBP, AGM315MN, AGM318D, AGM318MAP, AGM318MBP, AGM318MN, AGM320M, IRFB3607, AGM3400E, AGM15N10D-G, AGM15P13AS, AGM15P13E, AGM15P16AS, AGM15P22AS, AGM15P30AS, AGM15P30E