AGM325ME - описание и поиск аналогов

 

AGM325ME - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM325ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AGM325ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM325ME технические параметры

 ..1. Size:1993K  cn agmsemi
 agm325me.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM325ME N Channel Typical Characteristics VDS, Drain -Source Voltage (V) Tj - Junction Temperature ( C) Fig1. Typical Output Characteristics Fig2. Normalized Threshold Voltage Vs. Temperature VGS, Gate -Source Voltage (V) ID , Drain Current (A) Fig3. Typical Transfer Characteristics Fig4. On-Resistance vs. Drain Current and Gate VSD, Source-Drain Voltage (V) VDS, Drain -Source

 9.1. Size:1984K  cn agmsemi
 agm320m.pdf pdf_icon

AGM325ME

AGM320M General Description Product Summary The AGM320M combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery 30V 19.5m 8.0A protection applications. -30V 48m -6.8A Features Advance high cell density Trench technology SOP8 Pin Configuration R to

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.