AGM2319EL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AGM2319EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Encapsulados: SOT23
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AGM2319EL datasheet
agm2319el.pdf
AGM2319EL Typical Characteristics 8 8 VDS= -3V VGS = -10V VGS = -4.5V 6 6 VGS = -3.5V VGS = -3V 4 4 2 2 VGS = -2.5V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 Drain-source voltage -VDS (V) Gate-source voltage -VGS (V) Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics 300 10 ID= -5A 250 200 1 150 100 0.1 50 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 3 6 9 12 15 Source-drain
agm2309el.pdf
AGM2309EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A -60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =-60V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag
Otros transistores... AGM210MAP , AGM210S , AGM215MNE , AGM215TS , AGM216ME , AGM216MNE , AGM218MAP , AGM2309EL , MMIS60R580P , AGM25N15C , AGM30P10AP , AGM30P10K , AGM30P10S , AGM30P10SR , AGM30P110A , AGM30P110D , AGM30P12D .
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