AGM2319EL - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM2319EL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM2319EL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AGM2319EL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM2319EL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:941K  cn agmsemi
 agm2319el.pdf pdf_icon

AGM2319EL

AGM2319ELTypical Characteristics88VDS= -3VVGS = -10V VGS = -4.5V 6 6VGS = -3.5V VGS = -3V 4422VGS = -2.5V 000 1 2 3 4 50 1 2 3 4Drain-source voltage -VDS (V) Gate-source voltage -VGS (V)Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics30010ID= -5A25020011501000.1 500.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 3 6 9 12 15Source-drain

 9.1. Size:823K  cn agmsemi
 agm2309el.pdf pdf_icon

AGM2319EL

AGM2309ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A -60 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =-60V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltag

Другие MOSFET... AGM210MAP , AGM210S , AGM215MNE , AGM215TS , AGM216ME , AGM216MNE , AGM218MAP , AGM2309EL , STP65NF06 , AGM25N15C , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.