AGM2319EL - описание и поиск аналогов

 

AGM2319EL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM2319EL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AGM2319EL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM2319EL даташит

 ..1. Size:941K  cn agmsemi
 agm2319el.pdf pdf_icon

AGM2319EL

AGM2319EL Typical Characteristics 8 8 VDS= -3V VGS = -10V VGS = -4.5V 6 6 VGS = -3.5V VGS = -3V 4 4 2 2 VGS = -2.5V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 Drain-source voltage -VDS (V) Gate-source voltage -VGS (V) Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics 300 10 ID= -5A 250 200 1 150 100 0.1 50 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 3 6 9 12 15 Source-drain

 9.1. Size:823K  cn agmsemi
 agm2309el.pdf pdf_icon

AGM2319EL

AGM2309EL Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A -60 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =-60V,V =0V -- -- -1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltag

Другие MOSFET... AGM210MAP , AGM210S , AGM215MNE , AGM215TS , AGM216ME , AGM216MNE , AGM218MAP , AGM2309EL , MMIS60R580P , AGM25N15C , AGM30P10AP , AGM30P10K , AGM30P10S , AGM30P10SR , AGM30P110A , AGM30P110D , AGM30P12D .

History: TSA100N20M | CS18N50P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.