AGM25N15C Todos los transistores

 

AGM25N15C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM25N15C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 257 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AGM25N15C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2099K  cn agmsemi
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AGM25N15C

AGM25N15C General DescriptionProduct SummaryThe AGM25N15C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provideextremely low R .DS(ON)This device is ideal switch and batteryfor loadBVDSS RDSON IDprotection applications.150V 24m 52A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin ConfigurationLow R to min

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