AGM25N15C - описание и поиск аналогов

 

AGM25N15C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM25N15C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 257 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AGM25N15C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM25N15C даташит

 ..1. Size:2099K  cn agmsemi
 agm25n15c.pdf pdf_icon

AGM25N15C

AGM25N15C General Description Product Summary The AGM25N15C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. 150V 24m 52A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to min

Другие MOSFET... AGM210S , AGM215MNE , AGM215TS , AGM216ME , AGM216MNE , AGM218MAP , AGM2309EL , AGM2319EL , AOD4184A , AGM30P10AP , AGM30P10K , AGM30P10S , AGM30P10SR , AGM30P110A , AGM30P110D , AGM30P12D , AGM30P12M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.