AGM25N15C - описание и поиск аналогов

 

AGM25N15C - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM25N15C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 257 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AGM25N15C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM25N15C технические параметры

 ..1. Size:2099K  cn agmsemi
 agm25n15c.pdf pdf_icon

AGM25N15C

AGM25N15C General Description Product Summary The AGM25N15C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery for load BVDSS RDSON ID protection applications. 150V 24m 52A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to min

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.