AGM25N15C - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM25N15C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM25N15C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 257 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AGM25N15C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM25N15C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2099K  cn agmsemi
 agm25n15c.pdf pdf_icon

AGM25N15C

AGM25N15C General DescriptionProduct SummaryThe AGM25N15C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provideextremely low R .DS(ON)This device is ideal switch and batteryfor loadBVDSS RDSON IDprotection applications.150V 24m 52A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin ConfigurationLow R to min

Другие MOSFET... AGM210S , AGM215MNE , AGM215TS , AGM216ME , AGM216MNE , AGM218MAP , AGM2309EL , AGM2319EL , AO4468 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.