AGM2N7002K3 Todos los transistores

 

AGM2N7002K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM2N7002K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de AGM2N7002K3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AGM2N7002K3 PDF Specs

 ..1. Size:856K  cn agmsemi
 agm2n7002k3.pdf pdf_icon

AGM2N7002K3

AGM2N7002K3 Typical Performance Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.65 AGM2N7002K3 SOT23 Marking Instructions www.agm-mos.com 5 VER2.65 AGM2N7002K3 Disclaimer The information provided in this document is believed to be accurate and reliable. However,Shenzhen Core Control Source Electronics Technology Co., Ltd. does not assume any responsibility for the following consequence... See More ⇒

 5.1. Size:526K  cn agmsemi
 agm2n7002.pdf pdf_icon

AGM2N7002K3

AGM2N7002 General Description Product Summary The AGM2N7002 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 0.95 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-23 Pin Configuration Low R to mi... See More ⇒

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.