AGM2N7002K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AGM2N7002K3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Encapsulados: SOT23
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AGM2N7002K3 datasheet
agm2n7002k3.pdf
AGM2N7002K3 Typical Performance Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.65 AGM2N7002K3 SOT23 Marking Instructions www.agm-mos.com 5 VER2.65 AGM2N7002K3 Disclaimer The information provided in this document is believed to be accurate and reliable. However,Shenzhen Core Control Source Electronics Technology Co., Ltd. does not assume any responsibility for the following consequence
agm2n7002.pdf
AGM2N7002 General Description Product Summary The AGM2N7002 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 0.95 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-23 Pin Configuration Low R to mi
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