AGM2N7002K3 - описание и поиск аналогов

 

AGM2N7002K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM2N7002K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AGM2N7002K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM2N7002K3 даташит

 ..1. Size:856K  cn agmsemi
 agm2n7002k3.pdf pdf_icon

AGM2N7002K3

AGM2N7002K3 Typical Performance Characteristics www.agm-mos.com 3 VER2.65 AGM2N7002K3 SOT23 Marking Instructions www.agm-mos.com 5 VER2.65 AGM2N7002K3 Disclaimer The information provided in this document is believed to be accurate and reliable. However,Shenzhen Core Control Source Electronics Technology Co., Ltd. does not assume any responsibility for the following consequence

 5.1. Size:526K  cn agmsemi
 agm2n7002.pdf pdf_icon

AGM2N7002K3

AGM2N7002 General Description Product Summary The AGM2N7002 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 0.95 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-23 Pin Configuration Low R to mi

Другие MOSFET... AGM30P14MBP , AGM30P16AP , AGM30P16D , AGM30P16S , AGM30P18E , AGM30P18S , AGM30P20AP , AGM2N7002 , IRF1404 , AGM3005A , AGM3012AP-CP , AGM3015A , AGM3015D , AGM3015H , AGM301A1 , AGM301C1 , AGM302A1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.