AGMH70N90H Todos los transistores

 

AGMH70N90H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGMH70N90H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 91 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 303 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de AGMH70N90H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AGMH70N90H datasheet

 ..1. Size:1002K  cn agmsemi
agmh70n90h.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90H Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 65 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 5.1. Size:1238K  cn agmsemi
agmh70n90c.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90C Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 65 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 7.1. Size:1004K  cn agmsemi
agmh70n70d.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 68 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 7.2. Size:1176K  cn agmsemi
agmh70n70c.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70C Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 68 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

Otros transistores... AGMH6080H , AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , AGMH70N90C , K3569 , AGML315ME , AGMS5N50D , AGM308MN , AGM308S , AGM308SR , AGM30P05A , AGM30P05AP , AGM30P05D .

History: NTMFS3D6N10MCLT1G

 

 

 


History: NTMFS3D6N10MCLT1G

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG

 

 

 

Popular searches

skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement

 

 

↑ Back to Top
.