AGMH70N90H Todos los transistores

 

AGMH70N90H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGMH70N90H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 91 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 303 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de AGMH70N90H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AGMH70N90H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  cn agmsemi
 agmh70n90h.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90HTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 65 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage

 5.1. Size:1238K  cn agmsemi
 agmh70n90c.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90CTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 65 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage

 7.1. Size:1004K  cn agmsemi
 agmh70n70d.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 68 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 7.2. Size:1176K  cn agmsemi
 agmh70n70c.pdf pdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70CTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 68 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AGMH6080H , AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , AGMH70N90C , 12N60 , AGML315ME , AGMS5N50D , , , , , , .

History: AGMS5N50D | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGML315ME | AGMH614H

 

 
Back to Top

 


 
.