AGMH70N90H - описание и поиск аналогов

 

AGMH70N90H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGMH70N90H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AGMH70N90H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH70N90H даташит

 ..1. Size:1002K  cn agmsemi
agmh70n90h.pdfpdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90H Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 65 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 5.1. Size:1238K  cn agmsemi
agmh70n90c.pdfpdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N90C Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 65 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =60V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

 7.1. Size:1004K  cn agmsemi
agmh70n70d.pdfpdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 68 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

 7.2. Size:1176K  cn agmsemi
agmh70n70c.pdfpdf_icon

AGMH70N90H

AGMH70N70C Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 68 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =68V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

Другие MOSFET... AGMH6080H , AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , AGMH70N90C , K3569 , AGML315ME , AGMS5N50D , AGM308MN , AGM308S , AGM308SR , AGM30P05A , AGM30P05AP , AGM30P05D .

History: AOB2618L | AOB2606L | KF4N65F | BSO052N03S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.