AGML315ME MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AGML315ME
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6(4.2) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28(31) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71(74) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029(0.046) Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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AGML315ME datasheet
agml315me.pdf
AGML315ME General Description The AGML315ME combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . package DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery protection applications. 30V 25m 5.6A Features -30V 43m -4.2A Advance high cell density Trench technology Low R to minimize cond
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