AGML315ME Todos los transistores

 

AGML315ME MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGML315ME
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6(4.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28(31) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71(74) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029(0.046) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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AGML315ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2944K  cn agmsemi
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AGML315ME

AGML315ME General DescriptionThe AGML315ME combines advanced trenchProduct SummaryMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R .package DS(ON)BVDSS RDSON IDdevice isThis ideal for load switch and batteryprotection applications.30V25m 5.6A Features-30V 43m-4.2A Advance high cell density Trench technologyLow R to minimize cond

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