AGML315ME Todos los transistores

 

AGML315ME MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AGML315ME
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6(4.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28(31) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71(74) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029(0.046) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros