AGML315ME - аналоги и даташиты транзистора

 

AGML315ME - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGML315ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6(4.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28(31) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71(74) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029(0.046) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AGML315ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGML315ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2944K  cn agmsemi
 agml315me.pdf pdf_icon

AGML315ME

AGML315ME General DescriptionThe AGML315ME combines advanced trenchProduct SummaryMOSFET technology with a low resistanceto provide extremely low R .package DS(ON)BVDSS RDSON IDdevice isThis ideal for load switch and batteryprotection applications.30V25m 5.6A Features-30V 43m-4.2A Advance high cell density Trench technologyLow R to minimize cond

Другие MOSFET... AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , AGMH70N90C , AGMH70N90H , 4435 , AGMS5N50D , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.