AGML315ME - описание и поиск аналогов

 

AGML315ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGML315ME

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6(4.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28(31) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71(74) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029(0.046) Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для AGML315ME

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGML315ME даташит

 ..1. Size:2944K  cn agmsemi
 agml315me.pdf pdf_icon

AGML315ME

AGML315ME General Description The AGML315ME combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . package DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery protection applications. 30V 25m 5.6A Features -30V 43m -4.2A Advance high cell density Trench technology Low R to minimize cond

Другие MOSFET... AGMH612D , AGMH614C , AGMH614D , AGMH614H , AGMH70N70C , AGMH70N70D , AGMH70N90C , AGMH70N90H , IRFP260 , AGMS5N50D , AGM308MN , AGM308S , AGM308SR , AGM30P05A , AGM30P05AP , AGM30P05D , AGM30P08A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.