AGML315ME - описание и поиск аналогов

 

AGML315ME - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGML315ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6(4.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28(31) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71(74) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029(0.046) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AGML315ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGML315ME технические параметры

 ..1. Size:2944K  cn agmsemi
 agml315me.pdf pdf_icon

AGML315ME

AGML315ME General Description The AGML315ME combines advanced trench Product Summary MOSFET technology with a low resistance to provide extremely low R . package DS(ON) BVDSS RDSON ID device is This ideal for load switch and battery protection applications. 30V 25m 5.6A Features -30V 43m -4.2A Advance high cell density Trench technology Low R to minimize cond

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF630 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.