AGMH20P15D Todos los transistores

 

AGMH20P15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGMH20P15D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1216 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AGMH20P15D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1030K  cn agmsemi
 agmh20p15d.pdf pdf_icon

AGMH20P15D

AGMH20P15D General DescriptionProduct SummaryThe AGMH20P15D combines advanced trenchtoMOSFET technology with a low resistance packageprovideextremely low RDS(ON)BVDSS RDSON IDThis device is ideal for load switch and batteryprotection applications.-150V 150m -20A FeaturesTO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minim

Otros transistores... AGMH056N08A , AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , RU6888R , AGMH402C , , , , , , , .

History: AGMH12N10I | AGMH18N20C | AGMH402C | AGMH065N10A

 

 
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