AGMH20P15D Todos los transistores

 

AGMH20P15D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGMH20P15D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1216 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO252

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AGMH20P15D datasheet

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AGMH20P15D

AGMH20P15D General Description Product Summary The AGMH20P15D combines advanced trench to MOSFET technology with a low resistance package provide extremely low R DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. -150V 150m -20A Features TO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minim

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History: 2SJ472-01L | AOT27S60L | TPCA8103 | IRLD110PBF

 

 

 

 

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