AGMH20P15D - описание и поиск аналогов

 

AGMH20P15D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGMH20P15D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AGMH20P15D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH20P15D даташит

 ..1. Size:1030K  cn agmsemi
 agmh20p15d.pdf pdf_icon

AGMH20P15D

AGMH20P15D General Description Product Summary The AGMH20P15D combines advanced trench to MOSFET technology with a low resistance package provide extremely low R DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. -150V 150m -20A Features TO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minim

Другие MOSFET... AGMH056N08A , AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , 18N50 , AGMH402C , AGM3404EL , AGM3407E , AGM3415E , AGM3416E , AGM3416EL , AGM4005LL , AGM4005LLM1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.