AGMH20P15D - аналоги и даташиты транзистора

 

AGMH20P15D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGMH20P15D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1216 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGMH20P15D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH20P15D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1030K  cn agmsemi
 agmh20p15d.pdf pdf_icon

AGMH20P15D

AGMH20P15D General DescriptionProduct SummaryThe AGMH20P15D combines advanced trenchtoMOSFET technology with a low resistance packageprovideextremely low RDS(ON)BVDSS RDSON IDThis device is ideal for load switch and batteryprotection applications.-150V 150m -20A FeaturesTO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minim

Другие MOSFET... AGMH056N08A , AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , RU6888R , AGMH402C , , , , , , , .

History: AGMH12N10I | AGMH18N20C | AGMH402C | AGMH065N10A

 

 
Back to Top

 


 
.