AGMH402C Todos los transistores

 

AGMH402C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGMH402C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: TO220

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AGMH402C datasheet

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AGMH402C

AGMH402C General Description Product Summary The AGMH402C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON ID for load protection applications. 40V 2.6m 170A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to mini

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AGMH402C

AGMH403A1 Fig.7 Switching Time Measurement Circuit Fig.8 Gate Charge Waveform Fig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge Waveform Fig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGMH403A1 Figure1 Gate Charge Test Circuit & Waveform Figure 2 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms Figure 3 Unclamped Inductive Switching

Otros transistores... AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , AGMH20P15D , 20N50 , AGM3404EL , AGM3407E , AGM3415E , AGM3416E , AGM3416EL , AGM4005LL , AGM4005LLM1 , AGM4008LL .

History: CS10N65F

 

 

 

 

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