AGMH402C Todos los transistores

 

AGMH402C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGMH402C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AGMH402C Datasheet (PDF)

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AGMH402C

AGMH402C General DescriptionProduct SummaryThe AGMH402C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provideextremely low R .DS(ON)This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON IDfor loadprotection applications.40V 2.6m170A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin ConfigurationLow R to mini

 8.1. Size:1431K  cn agmsemi
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AGMH402C

AGMH403A1Fig.7 Switching Time Measurement Circuit Fig.8 Gate Charge WaveformFig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge WaveformFig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveformwww.agm-mos.com 4 VER2.72AGMH403A1Figure1:Gate Charge Test Circuit & Waveform Figure 2: Resistive Switching Test Circuit & Waveforms Figure 3:Unclamped Inductive Switching

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