AGMH402C - описание и поиск аналогов

 

AGMH402C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGMH402C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AGMH402C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH402C даташит

 ..1. Size:1183K  cn agmsemi
agmh402c.pdfpdf_icon

AGMH402C

AGMH402C General Description Product Summary The AGMH402C combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . DS(ON) This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON ID for load protection applications. 40V 2.6m 170A Features Advance high cell density Trench technology TO-220 Pin Configuration Low R to mini

 8.1. Size:1431K  cn agmsemi
agmh403a1.pdfpdf_icon

AGMH402C

AGMH403A1 Fig.7 Switching Time Measurement Circuit Fig.8 Gate Charge Waveform Fig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge Waveform Fig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveform www.agm-mos.com 4 VER2.72 AGMH403A1 Figure1 Gate Charge Test Circuit & Waveform Figure 2 Resistive Switching Test Circuit & Waveforms Figure 3 Unclamped Inductive Switching

Другие MOSFET... AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , AGMH20P15D , 20N50 , AGM3404EL , AGM3407E , AGM3415E , AGM3416E , AGM3416EL , AGM4005LL , AGM4005LLM1 , AGM4008LL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.