AGMH402C - аналоги и даташиты транзистора

 

AGMH402C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGMH402C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AGMH402C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGMH402C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1183K  cn agmsemi
 agmh402c.pdf pdf_icon

AGMH402C

AGMH402C General DescriptionProduct SummaryThe AGMH402C combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provideextremely low R .DS(ON)This device is ideal switch and battery BVDSS RDSON IDfor loadprotection applications.40V 2.6m170A FeaturesAdvance high cell density Trench technologyTO-220 Pin ConfigurationLow R to mini

 8.1. Size:1431K  cn agmsemi
 agmh403a1.pdf pdf_icon

AGMH402C

AGMH403A1Fig.7 Switching Time Measurement Circuit Fig.8 Gate Charge WaveformFig.9 Switching Time Measurement Circuit Fig.10 Gate Charge WaveformFig.11 Avalanche Measurement Circuit Fig.12 Avalanche Waveformwww.agm-mos.com 4 VER2.72AGMH403A1Figure1:Gate Charge Test Circuit & Waveform Figure 2: Resistive Switching Test Circuit & Waveforms Figure 3:Unclamped Inductive Switching

Другие MOSFET... AGMH056N08C , AGMH056N08HM1 , AGMH065N10A , AGMH12N10D , AGMH12N10I , AGMH1405C , AGMH18N20C , AGMH20P15D , IRF530 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.