AGM6N20D Todos los transistores

 

AGM6N20D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM6N20D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AGM6N20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2055K  cn agmsemi
 agm6n20d.pdf pdf_icon

AGM6N20D

AGM6N20DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 200 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =200V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

Otros transistores... AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AO4468 , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , , .

 

 
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