AGM6N20D - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM6N20D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM6N20D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGM6N20D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM6N20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2055K  cn agmsemi
 agm6n20d.pdf pdf_icon

AGM6N20D

AGM6N20DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 200 -- -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =200V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

Другие MOSFET... AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AO4468 , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.