AGM6N20D - описание и поиск аналогов

 

AGM6N20D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM6N20D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AGM6N20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM6N20D даташит

 ..1. Size:2055K  cn agmsemi
 agm6n20d.pdf pdf_icon

AGM6N20D

AGM6N20D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 200 -- -- V GS D Zero Gate Voltage Drain Current V =200V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V

Другие MOSFET... AGM628MAP , AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AOD4184A , AGM7N65D , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , AGM4025Q , AGM402A , AGM402A1 .

History: STF25N10F7 | STF21NM60N | SSPS922NE | SRC60R078BT | H04N65F | KF6N70I | NCEP85T14

 

 

 

 

↑ Back to Top
.