AGM7N65D Todos los transistores

 

AGM7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AGM7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  cn agmsemi
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AGM7N65D

AGM7N65DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter ConditionsMin Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250AGS D650 -- -- VZero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =30V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage

Otros transistores... AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , BS170 , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , , , .

 

 
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