AGM7N65D Todos los transistores

 

AGM7N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM7N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.52 Ohm

Encapsulados: TO252

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AGM7N65D datasheet

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AGM7N65D

AGM7N65D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 650 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 30V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

Otros transistores... AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AO4407A , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , AGM4025Q , AGM402A , AGM402A1 , AGM402C .

History: BSZ017NE2LS5I

 

 

 

 

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