AGM7N65D - описание и поиск аналогов

 

AGM7N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AGM7N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.52 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AGM7N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM7N65D даташит

 ..1. Size:946K  cn agmsemi
 agm7n65d.pdf pdf_icon

AGM7N65D

AGM7N65D Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A GS D 650 -- -- V Zero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS Gate-Body Leakage Current V = 30V,V =0V -- -- nA GS DS I GSS 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage

Другие MOSFET... AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AO4407A , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , AGM4025Q , AGM402A , AGM402A1 , AGM402C .

History: SST2605 | STF18N60M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.