AGM7N65D - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM7N65D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.52 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AGM7N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  cn agmsemi
 agm7n65d.pdf pdf_icon

AGM7N65D

AGM7N65DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter ConditionsMin Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250AGS D650 -- -- VZero Gate Voltage Drain Current V =650V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =30V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100VGS(th) Gate Threshold Voltage

Другие MOSFET... AGM628MD , AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , BS170 , AGM85P10A , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.