AGM85P10A Todos los transistores

 

AGM85P10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM85P10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.103 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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AGM85P10A Datasheet (PDF)

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AGM85P10A

AGM85P10ATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250A -- VGS D-100 -121Zero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- 100 nAGS DSIGSSVGS(th) Gate Threshold Vol

 6.1. Size:1301K  cn agmsemi
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AGM85P10A

AGM85P10DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250A -100 -121 -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- 100 nAGS DSIGSSVGS(th) Gate Threshold Volt

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History: AGM6N20D

 

 
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