AGM85P10A - аналоги и даташиты транзистора

 

AGM85P10A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AGM85P10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.103 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для AGM85P10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM85P10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1421K  cn agmsemi
 agm85p10a.pdf pdf_icon

AGM85P10A

AGM85P10ATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250A -- VGS D-100 -121Zero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- 100 nAGS DSIGSSVGS(th) Gate Threshold Vol

 6.1. Size:1301K  cn agmsemi
 agm85p10d.pdf pdf_icon

AGM85P10A

AGM85P10DTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBVDSS Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =-250A -100 -121 -- VGS DZero Gate Voltage Drain Current V =-100V,V =0V -- -- -1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- 100 nAGS DSIGSSVGS(th) Gate Threshold Volt

Другие MOSFET... AGM628MN , AGM628S , AGM655D , AGM65R380F , AGM665D , AGM665E , AGM6N20D , AGM7N65D , IRFB7545 , AGM85P10D , AGMH022N10H , AGMH022N10LL , , , , , .

History: AGM6N20D

 

 
Back to Top

 


 
.