AGM406MBQ Todos los transistores

 

AGM406MBQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM406MBQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: WQFN3X3
 

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AGM406MBQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1712K  cn agmsemi
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AGM406MBQ

AGM406MBQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI 100GSSV Gate Threshold Voltage V =V ,I =2

 6.1. Size:1600K  cn agmsemi
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AGM406MBQ

AGM406MBPTypical Characteristics2.74010V,6V,5V,4.5V,4VIDS= 250uA2.4Max2.130VGS= 3.5V 1.8Typ1.5201.2Min0.910VGS= 3V Notes: 0.61. 250s pulse test2. Tj=25C0.300 25 50 75 100 125 150 1750 1 2 3 4 5VDS, Drain -Source Voltage (V)Tj - Junction Temperature (C)Fig1. Typical Output CharacteristicsFig2. Typical V Gate -Source Voltage Vs.

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AGM406MBQ

AGM406MNQTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

 7.2. Size:1161K  cn agmsemi
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AGM406MBQ

AGM406MNATable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 40 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSGate-Body Leakage Current V =20V,V =0V -- -- nAGS DSI GSS 100V Gate Threshold Voltage V =V ,I

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History: AGM405AP2

 

 
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