AGM500P20D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AGM500P20D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm

Encapsulados: TO252

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AGM500P20D datasheet

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AGM500P20D

AGM500P20D General Description Product Summary The AGM500P20D combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. -200V 500m -12A Features TO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minimiz

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AGM500P20D

AGM502 General Description Product Summary The AGM502 combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 2.0 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-523 Pin Configuration Low R to minimize c

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