AGM500P20D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AGM500P20D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AGM500P20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AGM500P20D даташит

 ..1. Size:857K  cn agmsemi
 agm500p20d.pdf pdf_icon

AGM500P20D

AGM500P20D General Description Product Summary The AGM500P20D combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R DS(ON) BVDSS RDSON ID This device is ideal for load switch and battery protection applications. -200V 500m -12A Features TO-252 Pin Configuration Advance high cell density Trench technology Low R to minimiz

 9.1. Size:1036K  cn agmsemi
 agm502.pdf pdf_icon

AGM500P20D

AGM502 General Description Product Summary The AGM502 combines advanced trench MOSFET to provide technology with a low resistance package extremely low R . DS(ON) device is ideal This for load switch and battery BVDSS RDSON ID protection applications. 60V 2.0 0.3A Features Advance high cell density Trench technology SOT-523 Pin Configuration Low R to minimize c

Другие IGBT... AGM420MC, AGM420MD, AGM425M, AGM425MA, AGM425MC, AGM425MD, AGM425ME, AGM435E, 12N60, AGM502, AGM55N15A, AGM55N15D, AGM55P10A, AGM55P10D, AGM55P10S, AGM6014A, AGM6014AP