AP30H150G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP30H150G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP30H150G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP30H150G datasheet

 ..1. Size:638K  allpower
ap30h150g.pdf pdf_icon

AP30H150G

 6.1. Size:2151K  allpower
ap30h150ka.pdf pdf_icon

AP30H150G

 6.2. Size:591K  allpower
ap30h150q.pdf pdf_icon

AP30H150G

 6.3. Size:1401K  allpower
ap30h150k.pdf pdf_icon

AP30H150G

Otros transistores... AP2716KD, AP2716QD, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, IRFZ44, AP30H150K, AP30H150Q, AP30H180K, AP30H220G, AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K