AP30H150G datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP30H150G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30H150G 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP30H150G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:638K allpower
ap30h150g.pdf pdf_icon

6.1. Size:2151K allpower
ap30h150ka.pdf pdf_icon

6.2. Size:591K allpower
ap30h150q.pdf pdf_icon

6.3. Size:1401K allpower
ap30h150k.pdf pdf_icon