AP3134N5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3134N5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT523

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AP3134N5 datasheet

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AP3134N5

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AP3134N5

AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet KD AP3139 SOT-23 C C All Power Microelectronics Co.,Ltd 1 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 2 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 3 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet Dimensions Ref. Millimeters Inches G Typ. Typ. Min. Max. Min. Max. A 2.30 2.40 2.5

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