AP3134N5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP3134N5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de AP3134N5 MOSFET
Principales características: AP3134N5
ap3139.pdf
AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet KD AP3139 SOT-23 C C All Power Microelectronics Co.,Ltd 1 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 2 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 3 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet Dimensions Ref. Millimeters Inches G Typ. Typ. Min. Max. Min. Max. A 2.30 2.40 2.5
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Liste
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MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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