AP3134N5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3134N5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3134N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3134N5 даташит

 ..1. Size:785K  allpower
 ap3134n5.pdf pdf_icon

AP3134N5

 9.1. Size:1033K  allpower
 ap3139.pdf pdf_icon

AP3134N5

AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet KD AP3139 SOT-23 C C All Power Microelectronics Co.,Ltd 1 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 2 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet All Power Microelectronics Co.,Ltd 3 V1.0 AP3139 P-Channel Enhancement Mosfet Dimensions Ref. Millimeters Inches G Typ. Typ. Min. Max. Min. Max. A 2.30 2.40 2.5

Другие IGBT... AP30H60K, AP30H80K, AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, 2N7000, AP3139, AP3205, AP3404, AP3404S, AP3415E, AP3912GD, AP3N50F, AP3N50K