AP40P04G Todos los transistores

 

AP40P04G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP40P04G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP40P04G PDF Specs

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AP40P04G

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R ... See More ⇒

Otros transistores... AP4580 , AP4606 , AP4688S , AP4008SD , AP4013S , AP40N06K , AP40N100K , AP40N100LK , AON7410 , AP40P04K , AP40P04Q , AP40P05 , , , , , .

 

 
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