AP40P04G - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP40P04G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для AP40P04G
AP40P04G технические параметры
7.3. Size:1350K cn apm
ap40p04df.pdf
ap40p04df.pdf
AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R
Другие MOSFET... AP4580 , AP4606 , AP4688S , AP4008SD , AP4013S , AP40N06K , AP40N100K , AP40N100LK , AON7410 , AP40P04K , AP40P04Q , AP40P05 , , , , , .
