AP4812 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4812  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4812 datasheet

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AP4812

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AP4812

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AP4812

AP4816GSM RoHS-compliant Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22m D1 Fast Switching Performance ID 6.7A G2 CH-2 BVDSS 30V S2/A S2/A SO-8 RDS(ON) 13m G1 Description ID 11.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

 9.2. Size:60K  ape
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AP4812

AP4813GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10m Schottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fas

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