AP4812 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4812  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4812 даташит

 ..1. Size:1322K  allpower
 ap4812.pdf pdf_icon

AP4812

 0.1. Size:562K  allpower
 ap4812s.pdf pdf_icon

AP4812

 9.1. Size:131K  ape
 ap4816gsm.pdf pdf_icon

AP4812

AP4816GSM RoHS-compliant Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22m D1 Fast Switching Performance ID 6.7A G2 CH-2 BVDSS 30V S2/A S2/A SO-8 RDS(ON) 13m G1 Description ID 11.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

 9.2. Size:60K  ape
 ap4813gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4812

AP4813GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10m Schottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4013S, AP40N06K, AP40N100K, AP40N100LK, AP40P04G, AP40P04K, AP40P04Q, AP40P05, IRFB3607, AP4812S, AP4813K, AP4846, AP4847, AP4946S, AP5040QD, AP50N04GD, AP50N04K