AOM065V120X2Q Todos los transistores

 

AOM065V120X2Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOM065V120X2Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

 Búsqueda de reemplazo de AOM065V120X2Q MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOM065V120X2Q datasheet

 ..1. Size:913K  aosemi
 aom065v120x2q.pdf pdf_icon

AOM065V120X2Q

AOM065V120X2Q 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, with low R DS, ON I 85 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 65 m DS(ON), typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 142 nC rr Low reverse recovery diode (Qrr) E @ 800 V 30

Otros transistores... AOB29S50L , AOB380A60L , AOK033V120X2 , AOK033V120X2Q , AOK065V120X2 , AOK065V65X2 , AOK500V120X2 , AOM033V120X2 , K3569 , AONV070V65G1 , AOTF11S60L , AOTF27S60L , AOTF950A70L , , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.