AOM065V120X2Q - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AOM065V120X2Q. Основные параметры


   Наименование производителя: AOM065V120X2Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
 

 Аналог (замена) для AOM065V120X2Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOM065V120X2Q даташит

 ..1. Size:913K  aosemi
 aom065v120x2q.pdf pdf_icon

AOM065V120X2Q

AOM065V120X2Q 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiC MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, with low R DS, ON I 85 A DM Fast switching with low R and low capacitance G R 65 m DS(ON), typ Optimized gate drive voltage (V = 15 V) GS Q 142 nC rr Low reverse recovery diode (Qrr) E @ 800 V 30

Другие MOSFET... AOB29S50L , AOB380A60L , AOK033V120X2 , AOK033V120X2Q , AOK065V120X2 , AOK065V65X2 , AOK500V120X2 , AOM033V120X2 , K3569 , AONV070V65G1 , AOTF11S60L , AOTF27S60L , AOTF950A70L , , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.