AONV070V65G1 Todos los transistores

 

AONV070V65G1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONV070V65G1
   Tipo de FET: GaN
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8-8L
 

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AONV070V65G1 datasheet

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AONV070V65G1

AONV070V65G1 650V Enhancement Mode GaN Transistor Features Product Summary 650V Enhancement Mode GaN Transistor VDS @ TJ, max 650V Normal-off Design IDM 45A Ultra-low Qg RDS(ON) 70m No Qrr Qg, typ 6.9nC Low Inductance Eoss @ 400V 6 J Applications Server Power Supplies High-Frequency Converters Resonant Topologies Pin Configuration and Pin Nam

 9.1. Size:498K  aosemi
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AONV070V65G1

AONV095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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