AONV070V65G1 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AONV070V65G1. Основные параметры


   Наименование производителя: AONV070V65G1
   Тип транзистора: GaN
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8-8L
 

 Аналог (замена) для AONV070V65G1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV070V65G1 даташит

 ..1. Size:607K  aosemi
 aonv070v65g1.pdf pdf_icon

AONV070V65G1

AONV070V65G1 650V Enhancement Mode GaN Transistor Features Product Summary 650V Enhancement Mode GaN Transistor VDS @ TJ, max 650V Normal-off Design IDM 45A Ultra-low Qg RDS(ON) 70m No Qrr Qg, typ 6.9nC Low Inductance Eoss @ 400V 6 J Applications Server Power Supplies High-Frequency Converters Resonant Topologies Pin Configuration and Pin Nam

 9.1. Size:498K  aosemi
 aonv095a60.pdf pdf_icon

AONV070V65G1

AONV095A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB380A60L , AOK033V120X2 , AOK033V120X2Q , AOK065V120X2 , AOK065V65X2 , AOK500V120X2 , AOM033V120X2 , AOM065V120X2Q , IRFP260 , AOTF11S60L , AOTF27S60L , AOTF950A70L , , , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.