ZXMN0545G4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN0545G4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN0545G4

ZXMN0545G4 Datasheet (PDF)

..1. Size:213K diodes
zxmn0545g4.pdf

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

0.1. Size:211K zetex
zxmn0545g4ta.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: