Справочник MOSFET. ZXMN0545G4

 

ZXMN0545G4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN0545G4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.14 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для ZXMN0545G4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN0545G4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  diodes
 zxmn0545g4.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 0.1. Size:211K  zetex
 zxmn0545g4ta.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4

ZXMN0545G4450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mADESCRIPTIONThis 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with acompetitive specification offering efficient power handling capability, highimpedance and is free from thermal runaway and thermally inducedsecondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

Другие MOSFET... ZXMN7A11K , BSS123Z , BSS123W , ZVN4424Z , ZVN4525E6 , ZVN4525G , ZVN4525Z , ZVNL120G , RU6888R , ZXMN10A07F , ZXMN10A07Z , ZXMN10A08DN8 , ZXMN10A08E6 , ZXMN10A08G , ZXMN10A09K , ZXMN10A11G , ZXMN10A11K .

History: 2SK3526-01S | 2SK3357 | 2SK3060-Z | SGSP471 | SIHFI9Z24G | 2SK3516-01S | 2SK3322

 

 
Back to Top

 


 
.