ZXMN0545G4 - описание и поиск аналогов

 

ZXMN0545G4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN0545G4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.14 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZXMN0545G4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN0545G4 даташит

 ..1. Size:213K  diodes
 zxmn0545g4.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

 0.1. Size:211K  zetex
 zxmn0545g4ta.pdf pdf_icon

ZXMN0545G4

ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 450V; RDS(ON) = 50 ; ID = 140mA DESCRIPTION This 450V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

Другие MOSFET... ZXMN7A11K , BSS123Z , BSS123W , ZVN4424Z , ZVN4525E6 , ZVN4525G , ZVN4525Z , ZVNL120G , AO3400A , ZXMN10A07F , ZXMN10A07Z , ZXMN10A08DN8 , ZXMN10A08E6 , ZXMN10A08G , ZXMN10A09K , ZXMN10A11G , ZXMN10A11K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.