ASB60R150E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASB60R150E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: TO263
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ASB60R150E datasheet
asa60r150e asw60r150e asb60r150e.pdf
ASA60R150E, ASW60R150E, ASB60R150E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV,LED Lighting, Server power, Telecom power, and UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1
Otros transistores... ASA65R850E , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , IRFZ44N , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E , ASB80R750E , , , .
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