ASB60R150E - описание и поиск аналогов

 

ASB60R150E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASB60R150E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для ASB60R150E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASB60R150E даташит

 ..1. Size:816K  cn anhi
 asa60r150e asw60r150e asb60r150e.pdf pdf_icon

ASB60R150E

ASA60R150E, ASW60R150E, ASB60R150E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV,LED Lighting, Server power, Telecom power, and UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1

Другие MOSFET... ASA65R850E , ASA70R240E , ASA70R380E , ASA70R600E , ASA70R950E , ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , IRFZ44N , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E , ASB80R750E , , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.