ASB80R750E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASB80R750E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 750 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO263
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ASB80R750E datasheet
asa80r750e asd80r750e asb80r750e.pdf
ASA80R750E, ASD80R750E, ASB80R750E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 620m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Val
Otros transistores... ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , ASB60R150E , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E , IRF540N , , , , , , , , .
History: ASA70R600E
History: ASA70R600E
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