ASB80R750E - описание и поиск аналогов

 

ASB80R750E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASB80R750E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для ASB80R750E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASB80R750E даташит

 ..1. Size:724K  cn anhi
 asa80r750e asd80r750e asb80r750e.pdf pdf_icon

ASB80R750E

ASA80R750E, ASD80R750E, ASB80R750E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 620m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Val

Другие MOSFET... ASA80R290E , ASA80R750E , ASA80R900E , ASB60R150E , ASB65R120EFD , ASB65R220E , ASB65R300E , ASB70R380E , IRF540N , , , , , , , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.