ASE70R950E Todos los transistores

 

ASE70R950E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASE70R950E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de ASE70R950E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ASE70R950E datasheet

 ..1. Size:700K  cn anhi
 asa70r950e asd70r950e ase70r950e.pdf pdf_icon

ASE70R950E

ASA70R950E,ASD70R950E,ASE70R950E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback. PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.870 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 750 V DS @ T j,max R 950 DS(o

Otros transistores... ASD65R300E , ASD65R350E , ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , IRF3710 , ASM60R330E , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E .

History: ASQ65R046EFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.