ASE70R950E - описание и поиск аналогов

 

ASE70R950E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASE70R950E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ASE70R950E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASE70R950E даташит

 ..1. Size:700K  cn anhi
 asa70r950e asd70r950e ase70r950e.pdf pdf_icon

ASE70R950E

ASA70R950E,ASD70R950E,ASE70R950E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback. PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.870 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 750 V DS @ T j,max R 950 DS(o

Другие MOSFET... ASD65R300E , ASD65R350E , ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , IRF3710 , ASM60R330E , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E .

History: ASQ65R046EFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.