ASM65R280E Todos los transistores

 

ASM65R280E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASM65R280E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40.67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

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ASM65R280E datasheet

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 asa65r280e asd65r280e asm65r280e.pdf pdf_icon

ASM65R280E

ASA65R280E, ASD65R280E, ASM65R280E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Val

Otros transistores... ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , ASM60R330E , AON6414A , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , .

History: ASQ65R046EFD

 

 

 

 

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