ASM65R280E - описание и поиск аналогов

 

ASM65R280E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASM65R280E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40.67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для ASM65R280E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASM65R280E даташит

 ..1. Size:1230K  cn anhi
 asa65r280e asd65r280e asm65r280e.pdf pdf_icon

ASM65R280E

ASA65R280E, ASD65R280E, ASM65R280E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 240m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 to 4.2 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Val

Другие MOSFET... ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , ASM60R330E , AON6414A , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.