ASQ65R046EFD Todos los transistores

 

ASQ65R046EFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASQ65R046EFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 347 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

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ASQ65R046EFD datasheet

 ..1. Size:1257K  cn anhi
 asw65r046efd asq65r046efd asr65r046efd.pdf pdf_icon

ASQ65R046EFD

ASW65R046EFD, ASQ65R046EFD, ASR65R046EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 39m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.2 to 4.5 V Table 1 Key Performance Parameters Paramete

Otros transistores... ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , ASM60R330E , ASM65R280E , IRFB4115 , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E , , .

 

 

 

 

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